采用全碳化硅MOSFET模块实现100kHz开关频率下开关损耗降低60%； 🆔 ID: 282580 ✅ 可用
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基于SiC器件导通电阻低至3毫欧实现高频高效逆变； 🆔 ID: 282581 ✅ 可用
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100kHz工作频率下开关损耗降至传统Si IGBT方案的40%； 🆔 ID: 282582 ✅ 可用
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开关节点电压变化率dv/dt控制在5V/ns以内以抑制EMI； 🆔 ID: 282583 ✅ 可用
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采用ZVS/ZCS软开关技术进一步降低动态损耗达60%； 🆔 ID: 282584 ✅ 可用
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逆变器效率在满载条件下达到98.5%@100kHz； 🆔 ID: 282585 ✅ 可用
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开关损耗实测值从12mJ降至4.8mJ@100kHz开关频率； 🆔 ID: 282586 ✅ 可用
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采用TO-247-4L或DFN8x8封装SiC MOSFET降低寄生参数； 🆔 ID: 282587 ✅ 可用
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门极驱动电压优化为+18V/-3V提升开关速度并降低损耗； 🆔 ID: 282588 ✅ 可用
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死区时间设置为100ns以抑制桥臂直通同时最小化损耗； 🆔 ID: 282589 ✅ 可用
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功率管结温控制在125℃以下确保长期可靠运行； 🆔 ID: 282590 ✅ 可用
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采用氮化硅陶瓷基板降低热阻提升散热效率； 🆔 ID: 282591 ✅ 可用
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热阻Rth(j-c)低至0.5℃/W实现高功率密度设计； 🆔 ID: 282592 ✅ 可用
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开关频率100kHz时系统体积减小40%相比传统方案； 🆔 ID: 282593 ✅ 可用
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输出电流纹波小于2%满足高精度AI负载需求； 🆔 ID: 282594 ✅ 可用
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逆变器功率密度达到10kW/L@100kHz工作频率； 🆔 ID: 282595 ✅ 可用
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采用三相全桥拓扑结构实现高效能量转换； 🆔 ID: 282596 ✅ 可用
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开关管导通压降Vds(on)仅为80mV@10A电流条件； 🆔 ID: 282597 ✅ 可用
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门极电荷Qg低至50nC实现快速开关响应； 🆔 ID: 282598 ✅ 可用
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反向恢复电荷Qrr低于10nC显著减少开关损耗； 🆔 ID: 282599 ✅ 可用
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输入电压范围支持380VAC至480VAC工业标准； 🆔 ID: 282600 ✅ 可用
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输出电压THD小于1%满足AI服务器供电规范； 🆔 ID: 282601 ✅ 可用
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采用PWM调制方式实现精准输出波形控制； 🆔 ID: 282602 ✅ 可用
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开关频率100kHz下电磁兼容性通过EN61000-6-4认证； 🆔 ID: 282603 ✅ 可用
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关键路径寄生电感小于5nH降低电压过冲风险； 🆔 ID: 282604 ✅ 可用
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采用同步整流技术进一步提升轻载效率； 🆔 ID: 282605 ✅ 可用
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满载效率98.5%，半载效率99.1%@100kHz； 🆔 ID: 282606 ✅ 可用
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SiC MOSFET芯片面积利用率提升30%实现小型化； 🆔 ID: 282607 ✅ 可用
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开关过程能量损耗Eoff降低65%@100kHz工作点； 🆔 ID: 282608 ✅ 可用
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开通能量损耗Eon减少58%@1700V耐压等级； 🆔 ID: 282609 ✅ 可用
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