采用抗总剂量100krad(Si)加固工艺实现SRAM单元辐射耐受； 🆔 ID: 282685 ✅ 可用
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SEL免疫阈值达到75MeV·cm2/mg针对重离子辐照环境； 🆔 ID: 282686 ✅ 可用
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SRAM存储单元采用双互锁存储单元DICE架构实现单粒子翻转免疫； 🆔 ID: 282687 ✅ 可用
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关键存储阵列布局实施抗单粒子锁定SEL几何隔离技术； 🆔 ID: 282688 ✅ 可用
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采用SOI衬底技术实现寄生PNPN结构阻断抑制SEL效应； 🆔 ID: 282689 ✅ 可用
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SRAM单元尺寸优化至0.07μm2兼顾抗辐射性能与存储密度； 🆔 ID: 282690 ✅ 可用
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抗辐射加固SRAM支持连续工作在50MeV·cm2/mg重离子通量下无SEL触发； 🆔 ID: 282691 ✅ 可用
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存储单元Vcc工作电压范围1.8V±5%确保宽范围抗辐照稳定性； 🆔 ID: 282692 ✅ 可用
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SEL免疫设计使SRAM在1×10? ions/cm2·s粒子流强下保持功能正常； 🆔 ID: 282693 ✅ 可用
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采用厚氧化层栅极结构提升栅介质抗电离损伤能力至100Mrad(Si)； 🆔 ID: 282694 ✅ 可用
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SRAM阵列实施位线与字线分离布局降低单粒子瞬变SET传播概率； 🆔 ID: 282695 ✅ 可用
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抗辐射SRAM支持在300krad(Si)总剂量辐照后误码率低于1×10?1?； 🆔 ID: 282696 ✅ 可用
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存储单元采用环形栅极结构抑制高能粒子引起的局部电场集中； 🆔 ID: 282697 ✅ 可用
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SEL免疫设计使SRAM在55V瞬态过压条件下不发生寄生晶闸管导通； 🆔 ID: 282698 ✅ 可用
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关键晶体管沟道掺杂浓度优化至1×101? cm?3提升抗电离损伤能力； 🆔 ID: 282699 ✅ 可用
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SRAM存储阵列实施分段式电源网格降低单粒子事件SET传播影响； 🆔 ID: 282700 ✅ 可用
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抗辐射加固SRAM在1MeV电子辐照下阈值电压漂移小于50mV； 🆔 ID: 282701 ✅ 可用
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存储单元采用低泄漏HfO?高k介质栅堆叠提升抗总剂量能力至1Mrad(Si)； 🆔 ID: 282702 ✅ 可用
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SEL免疫设计使SRAM在1×101? protons/cm2质子辐照后功能保持率100%； 🆔 ID: 282703 ✅ 可用
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SRAM单元实施双阱隔离技术降低界面态缺陷引发的单粒子锁定风险； 🆔 ID: 282704 ✅ 可用
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抗辐射SRAM支持在空间质子通量1×10? p/cm2·s下连续运行无错误； 🆔 ID: 282705 ✅ 可用
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存储阵列采用冗余位线架构实现单粒子翻转SEU自恢复功能； 🆔 ID: 282706 ✅ 可用
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SEL免疫阈值设计覆盖银河宇宙射线GCR高能重离子谱段； 🆔 ID: 282707 ✅ 可用
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SRAM单元实施多层金属互联屏蔽降低高能粒子穿透引发SEL概率； 🆔 ID: 282708 ✅ 可用
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抗辐射加固SRAM在5×1011 n/cm2中子辐照后数据保持率超过99.99%； 🆔 ID: 282709 ✅ 可用
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存储单元采用低电场NMOS/PMOS配对结构抑制高能粒子触发SEL； 🆔 ID: 282710 ✅ 可用
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SEL免疫设计使SRAM在40V电源波动条件下不发生寄生通路导通； 🆔 ID: 282711 ✅ 可用
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SRAM阵列实施深N阱隔离技术降低界面电荷积累引发的单粒子效应； 🆔 ID: 282712 ✅ 可用
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抗辐射SRAM支持在10keV·cm2/mg质子辐照通量下误码率低于1×10?12； 🆔 ID: 282713 ✅ 可用
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存储单元采用阶梯式栅氧厚度设计平衡抗辐射与开关性能； 🆔 ID: 282714 ✅ 可用
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