采用纯铝约瑟夫森结制备工艺实现比特相干时间202μs@10mK基底温度； 🆔 ID: 282922 ✅ 可用
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芯片表面采用原子级平整化处理使介电损耗角正切tanδ降至1×10??以下； 🆔 ID: 282923 ✅ 可用
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比特谐振腔采用三维空腔设计将Q值提升至1.2×10?@6GHz共振频率； 🆔 ID: 282924 ✅ 可用
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采用超低损耗蓝宝石衬底使基底微波损耗降低至0.5dB/cm@10GHz； 🆔 ID: 282925 ✅ 可用
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比特电路布局实施法拉第笼全屏蔽结构将环境磁场噪声抑制至<10??T/√Hz； 🆔 ID: 282926 ✅ 可用
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采用钛氮化物TiN超导电极材料使结区临界电流密度均匀性偏差<2%； 🆔 ID: 282927 ✅ 可用
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芯片封装采用多层低温兼容真空绝热结构将热漏降至<10?1?W@10mK； 🆔 ID: 282928 ✅ 可用
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比特控制线采用共面波导CPW传输线设计使微波串扰抑制至-40dB以下； 🆔 ID: 282929 ✅ 可用
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读出谐振腔与比特间距优化至100μm以下实现高保真度量子非破坏测量； 🆔 ID: 282930 ✅ 可用
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采用梯度退火工艺将芯片表面二维电子气陷阱密度降低至<1×10?/cm2； 🆔 ID: 282931 ✅ 可用
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比特能级间距设计为5GHz@200mV偏置电压避免低能态热激发干扰； 🆔 ID: 282932 ✅ 可用
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采用超导铌Nb薄膜作为微波地平面将微波反射损耗降至-30dB@8GHz； 🆔 ID: 282933 ✅ 可用
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芯片布线采用蛇形延迟线结构实现比特间操作时序误差<10ps； 🆔 ID: 282934 ✅ 可用
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比特初始化保真度达到99.97%@200μs相干时间内完成态制备； 🆔 ID: 282935 ✅ 可用
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采用低温兼容CMOS控制电路实现微波脉冲上升沿<200ps精度控制； 🆔 ID: 282936 ✅ 可用
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比特间串扰矩阵元素绝对值均值控制在0.003以下实现高隔离度操作； 🆔 ID: 282937 ✅ 可用
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芯片电极间距公差控制在±0.5μm以内确保结区电容一致性<1%； 🆔 ID: 282938 ✅ 可用
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采用超低损耗聚酰亚胺钝化层使表面态密度降低至<1×101?/cm2·eV； 🆔 ID: 282939 ✅ 可用
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比特读出保真度实现98.5%@200μs相干时间窗口内完成量子态提取； 🆔 ID: 282940 ✅ 可用
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采用分布式布拉格反射器DBR结构将谐振腔模式体积缩小至0.5λ3以下； 🆔 ID: 282941 ✅ 可用
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芯片冷却速率优化至10mK/min以下避免热应力诱导结区缺陷产生； 🆔 ID: 282942 ✅ 可用
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比特门操作保真度达到99.9%@200μs相干时间内完成单/双比特门； 🆔 ID: 282943 ✅ 可用
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采用超导传输线滤波器将控制线1/f噪声抑制至<10??Hz?1/2@1Hz； 🆔 ID: 282944 ✅ 可用
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比特T?时间与T?时间比值达到0.98以上表明退相位噪声得到有效抑制； 🆔 ID: 282945 ✅ 可用
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芯片封装采用无磁不锈钢外壳将外部磁场梯度降至<10?11T/cm； 🆔 ID: 282946 ✅ 可用
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采用电子束光刻工艺实现约瑟夫森结特征尺寸偏差<2nm确保结区均匀性； 🆔 ID: 282947 ✅ 可用
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比特频率调谐范围实现±300MHz@直流偏置电压控制精度<10μV； 🆔 ID: 282948 ✅ 可用
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采用超低损耗氮化铝AlN介电层使比特间交叉耦合强度偏差<0.1MHz； 🆔 ID: 282949 ✅ 可用
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芯片电极布局实施对称化设计将比特间静电串扰抑制至<0.001； 🆔 ID: 282950 ✅ 可用
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采用多层低温兼容屏蔽结构将黑体辐射噪声降低至<10?2?W/Hz@100mK； 🆔 ID: 282951 ✅ 可用
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