钙钛矿 - 硅叠层电池机器指令:采用宽带隙钙钛矿材料(带隙1.6 - 1.8eV),与单晶硅电池(带隙1.12eV)构建叠层结构,目标转换效率≥35%(实验室已验证33.7%),量产效率≥30%; 🆔 ID: 287776 ✅ 可用
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钙钛矿吸光层采用溶液旋涂法或气相沉积法制备,溶液旋涂法溶液浓度≥1.5mol/L,旋涂转速≥3000rpm,退火温度≤150℃,气相沉积法沉积速率≥0.5?/s,基底温度≤500℃,钙钛矿层厚度≥300nm,缺陷密度≤10?/cm3; 🆔 ID: 287777 ✅ 可用
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电子传输层(ETL)选用TiO?(电子迁移率≥10?3cm2/V·s,带隙≥3.2eV)或SnO?(电子迁移率≥30×10?3cm2/V·s,带隙≥3.6eV),厚度≥20nm,采用原子层沉积(ALD)或溶液法制备,ALD沉积温度≤200℃,溶液法退火温度≤180℃; 🆔 ID: 287778 ✅ 可用
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空穴传输层(HTL)采用Spiro - OMeTAD(空穴迁移率≥10??cm2/V·s,带隙≥3.0eV)或NiOx(空穴迁移率≥10?3cm2/V·s,带隙≥3.8eV),厚度≥10nm,Spiro - OMeTAD掺杂浓度≥200mM,NiOx采用溶胶 - 凝胶法制备,退火温度≤300℃; 🆔 ID: 287779 ✅ 可用
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硅底电池采用单晶硅(电阻率≤0.5Ω·cm,少数载流子寿命≥1000μs),电池结构为PERC(钝化发射极和背面电池)、TOPCon(隧穿氧化层钝化接触电池)或HJT(异质结电池),PERC电池背面钝化层为Al?O?(厚度≥10nm),TOPCon电池隧穿氧化层为SiO?(厚度≤2nm),多晶硅层厚度≥10nm,HJT电池本征非晶硅层厚度≥5nm,掺杂非晶硅层厚度≥5nm; 🆔 ID: 287780 ✅ 可用
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叠层电池封装采用玻璃 - 封装胶膜 - 玻璃结构,封装胶膜为EVA(交联度≥95%,透光率≥92%)或POE(水汽透过率≤2g/(m2·d),体积电阻率≥101?Ω·cm),封装后组件透光率≥90%,耐候性≥25年(湿热试验1000h,紫外老化试验2000h); 🆔 ID: 287781 ✅ 可用
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采用磁控溅射或电子束蒸发制备透明导电氧化物(TCO)层,如ITO(方阻≤10Ω/□,透光率≥85%)或FTO(方阻≤20Ω/□,透光率≥80%),厚度≥100nm,溅射功率≥100W,蒸发速率≥0.1nm/s; 🆔 ID: 287782 ✅ 可用
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钙钛矿 - 硅叠层电池制备过程中,钙钛矿与硅底电池的对准精度≤10μm,通过光刻或激光划线技术实现,激光划线宽度≤20μm,能量密度≥1J/cm2; 🆔 ID: 287783 ✅ 可用
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电池性能测试在标准太阳光模拟器(AM1.5G,100mW/cm2,温度25±2℃)下进行,测量开路电压(Voc≥1.2V)、短路电流密度(Jsc≥25mA/cm2)、填充因子(FF≥80%),并采用量子效率(QE)测试系统测量外量子效率(EQE≥80%); 🆔 ID: 287784 ✅ 可用
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采用X射线衍射(XRD)分析钙钛矿晶体结构(衍射峰半高宽≤0.2°,结晶度≥90%),扫描电子显微镜(SEM)观察钙钛矿层形貌(晶粒尺寸≥200nm,表面平整度≤10nm),原子力显微镜(AFM)测量表面粗糙度(Ra≤10nm); 🆔 ID: 287785 ✅ 可用
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对钙钛矿 - 硅叠层电池进行稳定性测试,在连续光照(100mW/cm2,AM1.5G)下,效率衰减≤10%(1000小时),在高温高湿环境(85℃,85%RH)下,效率衰减≤15%(1000小时),在紫外光照(300 - 400nm,100mW/cm2)下,效率衰减≤5%(500小时); 🆔 ID: 287786 ✅ 可用
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采用界面工程优化钙钛矿与电子/空穴传输层之间的界面,通过界面修饰层(如PEIE,厚度≥1nm)降低界面缺陷密度(≤10?/cm3),提高界面电荷传输效率(≥90%); 🆔 ID: 287787 ✅ 可用
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钙钛矿材料采用甲脒铅碘(FA?.??MA?.??PbI?)或甲胺铅碘(MAPbI?)体系,通过掺杂铯(Cs?,掺杂浓度≥0.1mol%)或铷(Rb?,掺杂浓度≥0.05mol%)提高钙钛矿的相稳定性和热稳定性; 🆔 ID: 287788 ✅ 可用
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电子传输层与钙钛矿层之间采用原位反应法形成界面层,如TiO?与钙钛矿反应生成Ti - I键,提高界面结合力和电荷提取效率,反应温度≤150℃,反应时间≤30分钟; 🆔 ID: 287789 ✅ 可用
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空穴传输层与硅底电池之间采用化学处理法优化界面,如对硅表面进行羟基化处理(羟基密度≥101?/cm3),提高空穴传输层与硅的接触性能和电荷传输效率; 🆔 ID: 287790 ✅ 可用
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采用卷对卷(R2R)或狭缝涂布(Slot - Die)工艺实现钙钛矿 - 硅叠层电池的大规模制备,卷对卷工艺生产速度≥1m/min,狭缝涂布工艺涂布速度≥0.5m/min,制备的电池组件面积≥100cm2; 🆔 ID: 287791 ✅ 可用
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对钙钛矿 - 硅叠层电池进行光学模拟和设计,通过软件(如AFORS - HET)优化钙钛矿层的带隙和厚度(优化后光吸收利用率≥90%),以及各功能层的折射率匹配(反射率≤10%); 🆔 ID: 287792 ✅ 可用
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在钙钛矿 - 硅叠层电池制备过程中,采用惰性气体(如氩气,纯度≥99.999%)保护环境,氧气和水分含量≤1ppm,防止钙钛矿材料氧化和水解; 🆔 ID: 287793 ✅ 可用
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采用激光切割或机械切割将钙钛矿 - 硅叠层电池制备成特定尺寸和形状的电池片,切割精度≤±10μm,切割边缘光滑度≤100nm; 🆔 ID: 287794 ✅ 可用
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对钙钛矿 - 硅叠层电池进行电学性能测试,包括暗电流 - 电压特性(反向漏电流≤10??A/cm2)、电容 - 电压特性(载流子浓度≥101?/cm3),并分析电池内部的电荷传输和复合机制; 🆔 ID: 287795 ✅ 可用
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采用热循环测试( - 40℃至85℃,循环次数≥100次)和湿热循环测试(85℃,85%RH,循环次数≥50次)评估钙钛矿 - 硅叠层电池的热稳定性和湿热稳定性,循环后电池效率衰减≤10%; 🆔 ID: 287796 ✅ 可用
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对钙钛矿 - 硅叠层电池进行抗PID(电势诱导衰减)测试,在1000V偏压,85℃,85%RH条件下,测试时间≥96小时,效率衰减≤5%; 🆔 ID: 287797 ✅ 可用
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采用光谱响应测试系统测量钙钛矿 - 硅叠层电池的光谱响应特性,分析不同波长下的量子效率和光吸收情况,优化电池的光谱匹配性能; 🆔 ID: 287798 ✅ 可用
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在钙钛矿 - 硅叠层电池制备过程中,对原材料(如钙钛矿前驱体、传输层材料)进行纯度控制(纯度≥99.9%),减少杂质对电池性能的影响; 🆔 ID: 287799 ✅ 可用
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采用数值模拟软件(如COMSOL Multiphysics)模拟钙钛矿 - 硅叠层电池内部的电场分布、载流子传输和复合过程,优化电池结构和工艺参数; 🆔 ID: 287800 ✅ 可用
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对钙钛矿 - 硅叠层电池进行长期户外实证测试,在不同气候条件(如沙漠、海洋、高原)下,监测电池的发电性能、效率和稳定性,数据采集频率≥1小时/次,测试时间≥1年; 🆔 ID: 287801 ✅ 可用
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采用溶液法制备钙钛矿 - 硅叠层电池时,控制溶液的pH值(4 - 6)和溶剂组成(如DMF:DMSO = 4:1),提高钙钛矿的结晶质量和成膜均匀性; 🆔 ID: 287802 ✅ 可用
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对钙钛矿 - 硅叠层电池的电极(如金、银、铝)进行优化,选择合适的电极材料和厚度(厚度≥50nm),降低电极与传输层之间的接触电阻(≤10??Ω·cm2); 🆔 ID: 287803 ✅ 可用
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采用脉冲激光沉积(PLD)或分子束外延(MBE)技术制备高质量的电子/空穴传输层,PLD沉积能量密度≥1J/cm2,MBE沉积速率≤0.1?/s,制备的传输层具有高结晶度和低缺陷密度; 🆔 ID: 287804 ✅ 可用
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对钙钛矿 - 硅叠层电池进行光老化测试(100mW/cm2,AM1.5G,测试时间≥1000小时),监测电池的光致衰退性能,分析光老化机制并采取相应的改善措施; 🆔 ID: 287805 ✅ 可用
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