计算拓扑绝缘体的体能带间隙通常在0.1 - 3eV范围内 🆔 ID: 104891 ✅ 可用
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推导量子反常霍尔效应中横向电阻的量子化平台值为h/(e2) ≈ 25.8kΩ 🆔 ID: 104892 ✅ 可用
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模拟拓扑超导体中马约拉纳费米子满足非阿贝尔统计，其编织操作维度为2?/2（n为马约拉纳费米子数目） 🆔 ID: 104893 ✅ 可用
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计算二维拓扑绝缘体（如Bi?Se?家族）的表面态费米速度约为5×10?m/s 🆔 ID: 104894 ✅ 可用
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推导三维拓扑绝缘体（如Bi?Te?）的体能隙约为0.3eV 🆔 ID: 104895 ✅ 可用
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模拟拓扑晶体绝缘体的能带反转发生在特定晶面（如(001)面），其倒空间保护对称性为晶格平移对称性 🆔 ID: 104896 ✅ 可用
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计算Z?拓扑不变量的可能取值为0或1，用于区分平庸绝缘体和拓扑绝缘体 🆔 ID: 104897 ✅ 可用
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推导量子自旋霍尔效应中自旋霍尔电导的量子化值为(π/2)e2/h ≈ 0.085e2/h 🆔 ID: 104898 ✅ 可用
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模拟拓扑半金属（如Weyl半金属）中手性费米子的手性数为±1，其费米弧表面态连接体相Weyl点 🆔 ID: 104899 ✅ 可用
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计算Dirac半金属（如Na?Bi）中Dirac点简并度为4（包含自旋和轨道自由度），位于高对称点Γ 🆔 ID: 104900 ✅ 可用
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推导拓扑平庸相和外尔半金属相之间的相变点处能隙闭合，典型能量尺度在meV量级 🆔 ID: 104901 ✅ 可用
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模拟拓扑超导体的配对势能隙在MeV - eV量级，马约拉纳零能模出现在涡旋中心 🆔 ID: 104902 ✅ 可用
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计算Kitaev链模型中拓扑相变的临界点处化学势μ = t（t为跃迁能），拓扑量子数为±1/2 🆔 ID: 104903 ✅ 可用
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推导Chern绝缘体的陈数为整数（如±1，±2），对应量子霍尔效应中的平台数 🆔 ID: 104904 ✅ 可用
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模拟二维拓扑光子晶体中光子带隙内的拓扑边缘态具有单向传播特性，群速度可达10?m/s量级 🆔 ID: 104905 ✅ 可用
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计算三维拓扑光子晶体中自旋陈绝缘体的拓扑不变量为Z?×Z?，对应四重简并的拓扑表面态 🆔 ID: 104906 ✅ 可用
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推导拓扑声子晶体中声子带隙内的拓扑边界态频率在kHz - MHz范围，传播速度约为3000 - 5000m/s 🆔 ID: 104907 ✅ 可用
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模拟拓扑磁体（如Py@YIG异质结）中斯格明子霍尔效应产生的拓扑霍尔电阻约为0.1 - 1Ω 🆔 ID: 104908 ✅ 可用
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计算高温超导体（如Bi - 2212）中可能存在的拓扑超导相，其能隙对称性为d波，能隙大小约为30 - 50meV 🆔 ID: 104909 ✅ 可用
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推导分数量子霍尔效应中填充因子ν = 1/3时，准粒子激发电荷为e/3，拓扑序参数为 Laughlin 波函数 🆔 ID: 104910 ✅ 可用
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模拟拓扑量子计算中非阿贝尔任意子（如Ising任意子）的编织操作可实现普适量子门，保真度目标>99.9% 🆔 ID: 104911 ✅ 可用
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计算一维拓扑超导体（如Kitaev模型）中马约拉纳束缚态能量在零能附近（<10μeV），间距约为10 - 20nm 🆔 ID: 104912 ✅ 可用
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推导二维拓扑绝缘体/超导体异质结（如Bi?Se?/NbSe?）中诱导的马约拉纳零能模寿命约为1 - 10μs 🆔 ID: 104913 ✅ 可用
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模拟拓扑液晶中向列相序参数的拓扑缺陷（如位错）具有π/2的Berry相位，缺陷线能量密度约为10?3J/m2 🆔 ID: 104914 ✅ 可用
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计算三维拓扑绝缘体薄膜（厚度<10nm）表面态与体态杂化导致的能隙重整化，典型能量偏移约为0.01 - 0.1eV 🆔 ID: 104915 ✅ 可用
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推导拓扑量子点（如InAs/GaSb量子点）中自旋 - 轨道耦合强度约为1 - 10meV，导致拓扑保护的边缘态 🆔 ID: 104916 ✅ 可用
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模拟拓扑磁振子绝缘体（如YIG薄膜）中磁振子带隙约为1 - 10meV，拓扑边缘态传播损耗<0.1dB/μm 🆔 ID: 104917 ✅ 可用
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计算高温拓扑超导候选材料（如FeSe/SrTiO?）界面超导能隙约为1 - 5meV，可能支持马约拉纳模式 🆔 ID: 104918 ✅ 可用
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推导拓扑光子晶体光纤中模式耦合导致的拓扑保护光传输，弯曲损耗降低至10??dB/cm量级 🆔 ID: 104919 ✅ 可用
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模拟二维拓扑半金属（如PtSe?）中Dirac点处态密度峰值为1013 - 101?eV?1cm?2，费米速度约为10? - 10?m/s 🆔 ID: 104920 ✅ 可用
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