计算Si(111)-7×7表面在STM扫描下的偏压依赖性隧穿电流（I-V曲线斜率≈1.2×10^-6 A/V, 偏压范围-2.0~+2.0 V） 🆔 ID: 178075 ✅ 可用
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模拟Au(111)表面原子级分辨AFM力-距离曲线（力常数k≈1800 N/m, 相位滞后≈35°@100 kHz） 🆔 ID: 178076 ✅ 可用
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量化Graphene/h-BN异质结在STM下的层间电荷密度差（Δρ≈0.15 e/?3@偏压1.5 V） 🆔 ID: 178077 ✅ 可用
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测定MoS2单层在AFM轻敲模式下的弹性模量（杨氏模量E≈270 GPa, 耗散能≈5×10^-19 J） 🆔 ID: 178078 ✅ 可用
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分析FeSe超导薄膜在STM谱中的dI/dV峰位（超导能隙Δ≈1.2 meV@4.2 K） 🆔 ID: 178079 ✅ 可用
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表征TiO2(110)表面氧空位在AFM相位成像中的对比度（相位差Δφ≈45°@力常数2 N/m） 🆔 ID: 178080 ✅ 可用
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推导Cu(111)表面CO吸附原子的STM高度轮廓（吸附高度h≈0.25 nm, 扫描范围10 nm×10 nm） 🆔 ID: 178081 ✅ 可用
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模拟Pt(100)表面台阶边缘在AFM力曲线中的吸附力（吸附力F≈8 nN@距离5 nm） 🆔 ID: 178082 ✅ 可用
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计算Ni(111)表面H原子吸附的STM成像对比度（亮度对比≈30%@偏压0.3 V） 🆔 ID: 178083 ✅ 可用
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量化Ag(100)表面纳米团簇在AFM轻敲模式下的共振频率偏移（Δf≈-120 Hz@Q≈200） 🆔 ID: 178084 ✅ 可用
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预测Cr(110)表面O3分子吸附的STM电子态密度（DOS峰值≈1.5×10^14 eV^-1·cm^-2@EF-0.5 eV） 🆔 ID: 178085 ✅ 可用
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建模Ru(0001)表面N2活化位点的AFM力-位移曲线（临界载荷Fc≈25 nN@压入深度1 nm） 🆔 ID: 178086 ✅ 可用
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推导Fe(110)表面CO氧化中间体的STM成像分辨率（横向分辨率≈0.15 nm@隧道电流1 pA） 🆔 ID: 178087 ✅ 可用
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计算Cu(110)表面H2S解离产物的AFM高度差（Δh≈0.12 nm@扫描速率1 Hz） 🆔 ID: 178088 ✅ 可用
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模拟Pd(111)表面CH4吸附的STM偏压依赖性（电流密度j≈5×10^-8 A/cm2@偏压0.5 V） 🆔 ID: 178089 ✅ 可用
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量化Rh(111)表面NO还原活性位点的AFM相位滞后（Δφ≈25°@力常数1.5 N/m） 🆔 ID: 178090 ✅ 可用
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分析Ni(111)表面NH3分解的STM图像衬度（亮度变化ΔI/I≈0.4@偏压0.2 V） 🆔 ID: 178091 ✅ 可用
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预测Pt(111)表面H2O解离的AFM力曲线斜率（刚度k≈30 N/m@接触点） 🆔 ID: 178092 ✅ 可用
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建模Ag(111)表面CO2还原中间体的STM形貌特征（特征尺寸≈0.3 nm@扫描范围5 nm×5 nm） 🆔 ID: 178093 ✅ 可用
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推导Ir(111)表面CH4重整位点的AFM共振频率（f?≈300 kHz@Q≈150） 🆔 ID: 178094 ✅ 可用
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计算Ru(100)表面CO氧化的STM电流-时间轨迹（噪声水平≈2×10^-10 A@积分时间100 ms） 🆔 ID: 178095 ✅ 可用
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模拟TiO2(001)表面光生电子的STM成像动态（电子密度变化Δn≈10^12 cm^-2@光照强度1 Sun） 🆔 ID: 178096 ✅ 可用
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量化Au(111)表面H2吸附的AFM力-距离曲线（吸附能E_ad≈0.15 eV@平衡距离0.3 nm） 🆔 ID: 178097 ✅ 可用
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分析Cu(100)表面O2还原的STM偏压扫描范围（最优偏压区间-0.5~+0.8 V） 🆔 ID: 178098 ✅ 可用
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预测Ag(111)表面H2O吸附的AFM相位成像对比度（相位差Δφ≈15°@力常数1 N/m） 🆔 ID: 178099 ✅ 可用
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建模Pd(111)表面CO氧化的STM高度轮廓（台阶高度Δh≈0.08 nm@扫描速率0.5 Hz） 🆔 ID: 178100 ✅ 可用
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推导Rh(111)表面NO氧化的AFM力曲线特征（突跳力F_jump≈18 nN@临界距离0.8 nm） 🆔 ID: 178101 ✅ 可用
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计算Ni(111)表面CH4裂解的STM成像帧率（帧频≥1 frame/s@分辨率0.2 nm） 🆔 ID: 178102 ✅ 可用
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量化Fe(111)表面CO2吸附的AFM轻敲模式振幅（振幅A≈80 nm@驱动频率300 kHz） 🆔 ID: 178103 ✅ 可用
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预测Pt(111)表面H2S氧化的STM电子态密度（DOS峰宽≈0.2 eV@EF-0.3 eV） 🆔 ID: 178104 ✅ 可用
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