计算Bi?Te?基热电材料在温度T=300 K时Seebeck系数S=220 μV/K对应的功率因子PF=S2σ=1.8×10?3 W/(m·K2) 🆔 ID: 179606 ✅ 可用
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分析PbTe-SrTe固溶体（Sr掺杂浓度x=0.03）在700 K时热导率κ=1.2 W/(m·K)的晶格振动抑制效率η_lattice=0.65 🆔 ID: 179607 ✅ 可用
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预测SnSe单晶在300-700 K温度区间内无量纲热电优值ZT_max=2.8@550 K的载流子浓度n=5×101? cm?3 🆔 ID: 179608 ✅ 可用
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测定CoSb?基方钴矿（填充原子Y=Ba）在600 K时塞贝克系数S=-150 μV/K的电输运特性 🆔 ID: 179609 ✅ 可用
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计算Mg?(Si,Sn)固溶体（Sn含量y=0.3）在500 K时热电优值ZT=1.4对应的电子迁移率μ=800 cm2/(V·s) 🆔 ID: 179610 ✅ 可用
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分析Bi?Te?纳米片（厚度d=20 nm）在室温下热导率κ=0.5 W/(m·K)的声子散射增强因子η_phonon=0.8 🆔 ID: 179611 ✅ 可用
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预测n型Skutterudite材料（填充原子La=Ce）在800 K时功率因子PF=2.5×10?3 W/(m·K2)的晶格缺陷调控 🆔 ID: 179612 ✅ 可用
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计算Cu?Se在相变温度Tc=410 K时热导率突变Δκ=1.8 W/(m·K)的相变潜热ΔH=25 J/g 🆔 ID: 179613 ✅ 可用
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测定Fe?VAl基Heusler合金（Ti掺杂浓度z=0.02）在400 K时热电优值ZT=0.8的电子有效质量m*=1.2m? 🆔 ID: 179614 ✅ 可用
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预测Bi?Se?拓扑绝缘体（表面态浓度n_ss=5×1013 cm?2）在300 K时热电转换效率η_TE=8.5%的量子限域效应 🆔 ID: 179615 ✅ 可用
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计算SnTe-PbTe量子点复合材料（量子点尺寸d=5 nm）在600 K时塞贝克系数S=180 μV/K的尺寸效应 🆔 ID: 179616 ✅ 可用
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分析Mg?Sb?基Zintl化合物（Na掺杂浓度w=0.05）在700 K时热导率κ=1.5 W/(m·K)的晶格动力学参数 🆔 ID: 179617 ✅ 可用
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测定CuInTe?基化合物（In过量x=0.1）在500 K时功率因子PF=1.2×10?3 W/(m·K2)的缺陷态密度D_it=101? cm?2 🆔 ID: 179618 ✅ 可用
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预测n型Bi?Te?（Te空位浓度v=0.01）在300 K时无量纲热电优值ZT=1.2的载流子散射机制 🆔 ID: 179619 ✅ 可用
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计算PbSe-GeSe固溶体（Ge含量y=0.2）在800 K时电子迁移率μ=600 cm2/(V·s)的能带收敛效应 🆔 ID: 179620 ✅ 可用
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分析AgSbTe?基材料（Na掺杂浓度x=0.01）在550 K时热导率κ=0.8 W/(m·K)的声子玻璃电子晶体特性 🆔 ID: 179621 ✅ 可用
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测定CoSb?/SiC纳米复合材料（SiC含量φ=0.1）在600 K时热电优值ZT=1.1的界面热阻R_th=5×10?? m2·K/W 🆔 ID: 179622 ✅ 可用
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预测Bi?Te?/Sb?Te?超晶格结构（周期厚度d=10 nm）在300 K时热导率κ=0.3 W/(m·K)的二维声子输运 🆔 ID: 179623 ✅ 可用
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计算Mg?Sn基合金（Mg空位浓度v=0.02）在500 K时塞贝克系数S=120 μV/K的本征缺陷工程 🆔 ID: 179624 ✅ 可用
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分析SnSe?/MoS?范德华异质结（层间耦合强度J=0.5 eV）在400 K时功率因子PF=0.9×10?3 W/(m·K2)的层间电荷转移 🆔 ID: 179625 ✅ 可用
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测定FeSe?基化合物（Ti掺杂浓度x=0.03）在800 K时热电转换效率η_TE=10.2%的费米能级调控 🆔 ID: 179626 ✅ 可用
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预测Cu?S基材料（Na掺杂浓度y=0.02）在400 K时热导率κ=1.1 W/(m·K)的电子-声子耦合系数g=0.3×101? W/(m3·K) 🆔 ID: 179627 ✅ 可用
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计算n型Half-Heusler合金（ZrNiSn基）在1000 K时无量纲热电优值ZT=1.3的晶格热导率κ_l=2.0 W/(m·K) 🆔 ID: 179628 ✅ 可用
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分析Bi?(Te,Se)?固溶体（Se含量x=0.3）在300 K时功率因子PF=2.0×10?3 W/(m·K2)的能带偏移量ΔE=0.15 eV 🆔 ID: 179629 ✅ 可用
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测定PbTe基材料（Na掺杂浓度z=0.05）在600 K时热电优值ZT=1.6的载流子有效质量m*=1.5m? 🆔 ID: 179630 ✅ 可用
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预测SiGe合金（Ge含量y=0.3）在1200 K时热导率κ=4.5 W/(m·K)的声子平均自由程λ=200 nm 🆔 ID: 179631 ✅ 可用
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计算Mg?(Bi,Sb)?化合物（Sb含量x=0.4）在700 K时塞贝克系数S=160 μV/K的晶格畸变参数u=0.08 ? 🆔 ID: 179632 ✅ 可用
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分析CoSb?基笼形化合物（Yb填充原子浓度x=0.2）在500 K时热电转换效率η_TE=9.8%的声子态密度DOS 🆔 ID: 179633 ✅ 可用
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测定SnSe单晶（n型掺杂）在800 K时电子迁移率μ=400 cm2/(V·s)的能谷简并度g=4 🆔 ID: 179634 ✅ 可用
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预测Bi?Te?基薄膜（厚度d=50 nm）在300 K时热导率κ=0.4 W/(m·K)的尺寸量子化效应 🆔 ID: 179635 ✅ 可用
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