采用原子层沉积（ALD）技术在硅片（100）表面沉积5nm氧化铝（Al?O?）薄膜，前驱体三甲基铝（TMA）脉冲时间0.1s，H?O脉冲时间0.1s，循环次数1000次，沉积温度200°C，薄膜厚度均匀性<1.5%，折射率1.65±0.02 🆔 ID: 197511 ✅ 可用
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在多孔氧化铝（AAO）模板（孔径20nm）内壁沉积3nm二氧化锆（ZrO?）薄膜，前驱体四(二甲氨基)锆（TDMAZr）脉冲时间0.2s，H?O脉冲时间0.15s，循环次数600次，沉积温度150°C，孔隙率保持率>90%，介电常数25±2 🆔 ID: 197512 ✅ 可用
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使用原子层沉积（ALD）在石墨烯（单层）表面沉积1nm氮化铝（AlN）薄膜，前驱体三甲基铝（TMA）脉冲时间0.1s，氨气（NH?）脉冲时间0.1s，循环次数200次，沉积温度80°C，薄膜应力<50MPa，二维电子气迁移率1500cm2/V·s 🆔 ID: 197513 ✅ 可用
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在二氧化硅（SiO?）基底上沉积8nm氧化铪（HfO?）高k介质薄膜，前驱体四(乙基甲基氨基)铪（TEMAH）脉冲时间0.15s，H?O脉冲时间0.1s，循环次数1200次，沉积温度250°C，等效氧化层厚度（EOT）0.5nm，漏电流密度<1×10??A/cm2@1V 🆔 ID: 197514 ✅ 可用
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采用原子层沉积（ALD）技术在铜（Cu）互连线上沉积2nm氮化钽（TaN）扩散阻挡层，前驱体五(二甲氨基)钽（PTA）脉冲时间0.12s，NH?脉冲时间0.1s，循环次数400次，沉积温度180°C，阻挡效果>100小时@400°C，电阻率200±10μΩ·cm 🆔 ID: 197515 ✅ 可用
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在柔性聚酰亚胺（PI）基底上沉积5nm氧化钛（TiO?）薄膜，前驱体四(二甲氨基)钛（TDMAT）脉冲时间0.1s，H?O脉冲时间0.1s，循环次数800次，沉积温度120°C，薄膜柔韧性>10?次弯曲（曲率半径5mm），透光率>85%@可见光 🆔 ID: 197516 ✅ 可用
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使用原子层沉积（ALD）在硅纳米线（直径50nm）表面沉积1.5nm氧化铝（Al?O?）钝化层，前驱体三甲基铝（TMA）脉冲时间0.08s，H?O脉冲时间0.08s，循环次数300次，沉积温度150°C，表面粗糙度Ra<0.5nm，载流子迁移率保持率>95% 🆔 ID: 197517 ✅ 可用
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在碳纳米管（CNTs）阵列上沉积3nm氮化硅（Si?N?）保护层，前驱体二(叔丁基氨基)硅烷（BTBAS）脉冲时间0.1s，NH?脉冲时间0.1s，循环次数600次，沉积温度200°C，抗氧化温度>400°C，杨氏模量150GPa 🆔 ID: 197518 ✅ 可用
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采用原子层沉积（ALD）技术在石英晶体微天平（QCM）电极表面沉积1nm氧化钇（Y?O?）薄膜，前驱体三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钇（Y(TMHD)?）脉冲时间0.1s，H?O脉冲时间0.1s，循环次数200次，沉积温度180°C，薄膜均匀性<1%，频率稳定性<0.1Hz/h 🆔 ID: 197519 ✅ 可用
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在钙钛矿太阳能电池（CH?NH?PbI?）表面沉积2nm氧化锡（SnO?）电子传输层，前驱体四(二甲氨基)锡（TDMASn）脉冲时间0.1s，O?脉冲时间0.1s，循环次数400次，沉积温度100°C，电子迁移率>10?2cm2/V·s，开路电压提升0.05V 🆔 ID: 197520 ✅ 可用
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使用原子层沉积（ALD）在锂离子电池（LiCoO?）正极表面沉积1nm氧化铝（Al?O?）固体电解质界面（SEI）层，前驱体三甲基铝（TMA）脉冲时间0.08s，H?O脉冲时间0.08s，循环次数200次，沉积温度80°C，循环寿命提升30%@1C倍率，界面阻抗降低40% 🆔 ID: 197521 ✅ 可用
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在氮化镓（GaN）LED外延片上沉积3nm氧化铟锡（ITO）透明导电层，前驱体四(乙基甲基氨基)铟（TEMIT）脉冲时间0.1s，O?等离子体脉冲时间0.1s，循环次数600次，沉积温度150°C，方块电阻<10Ω/□，透光率>90%@460nm 🆔 ID: 197522 ✅ 可用
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采用原子层沉积（ALD）技术在微机电系统（MEMS）悬臂梁表面沉积2nm氮化铝（AlN）压电薄膜，前驱体三甲基铝（TMA）脉冲时间0.1s，NH?脉冲时间0.1s，循环次数400次，沉积温度200°C，压电系数d33=15pC/N，机电耦合系数k2=8% 🆔 ID: 197523 ✅ 可用
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在金刚石（111）表面沉积1nm氧化铪（HfO?）薄膜，前驱体四(乙基甲基氨基)铪（TEMAH）脉冲时间0.1s，H?O脉冲时间0.1s，循环次数200次，沉积温度250°C，介电常数20±2，热导率保持率>95% 🆔 ID: 197524 ✅ 可用
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使用原子层沉积（ALD）在石墨烯场效应晶体管（GFET）沟道表面沉积1.5nm氧化铝（Al?O?）栅介质层，前驱体三甲基铝（TMA）脉冲时间0.1s，H?O脉冲时间0.1s，循环次数300次，沉积温度180°C，阈值电压偏移<0.5V，载流子迁移率保持率>90% 🆔 ID: 197525 ✅ 可用
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在硅基氮化镓（GaN-on-Si）异质结上沉积2nm氧化锌（ZnO）缓冲层，前驱体二(叔丁基氨基)锌（ZTB）脉冲时间0.1s，H?O脉冲时间0.1s，循环次数400次，沉积温度150°C，位错密度降低50%，漏电流密度<1×10??A/cm2 🆔 ID: 197526 ✅ 可用
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采用原子层沉积（ALD）技术在三维 NAND 闪存浮栅电极上沉积1nm氧化铝（Al?O?）隧穿氧化层，前驱体三甲基铝（TMA）脉冲时间0.08s，H?O脉冲时间0.08s，循环次数200次，沉积温度120°C，电荷保持能力>10年@85°C，编程/擦除速度<100μs 🆔 ID: 197527 ✅ 可用
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在量子点发光二极管（QLED）空穴传输层上沉积1.5nm氧化镍（NiO）薄膜，前驱体二茂镍（Ni(CO)?）脉冲时间0.1s，O?脉冲时间0.1s，循环次数300次，沉积温度100°C，空穴注入势垒降低0.3eV，外量子效率提升15% 🆔 ID: 197528 ✅ 可用
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使用原子层沉积（ALD）在碳纤维增强复合材料（CFRP）表面沉积2nm氧化钛（TiO?）防护层，前驱体四(二甲氨基)钛（TDMAT）脉冲时间0.1s，H?O脉冲时间0.1s，循环次数400次，沉积温度150°C，耐盐雾腐蚀寿命>1000小时，表面能降低30% 🆔 ID: 197529 ✅ 可用
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在硅基太阳能电池（PERC）背面沉积3nm氧化铝（Al?O?）钝化层，前驱体三甲基铝（TMA）脉冲时间0.1s，H?O脉冲时间0.1s，循环次数600次，沉积温度200°C，表面复合速率<10cm/s，转换效率提升0.5% 🆔 ID: 197530 ✅ 可用
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采用原子层沉积（ALD）技术在微电子机械传感器（MEMS）压力敏感膜上沉积1nm氮化硅（Si?N?）保护层，前驱体二(叔丁基氨基)硅烷（BTBAS）脉冲时间0.08s，NH?脉冲时间0.08s，循环次数200次，沉积温度100°C，耐压强度>100MPa，灵敏度保持率>95% 🆔 ID: 197531 ✅ 可用
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在二维过渡金属硫化物（MoS?）单层上沉积1.5nm氧化钼（MoO?）接触层，前驱体四(二甲氨基)钼（TDMAMo）脉冲时间0.1s，O?脉冲时间0.1s，循环次数300次，沉积温度200°C，接触电阻<100Ω·μm，载流子注入效率>90% 🆔 ID: 197532 ✅ 可用
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使用原子层沉积（ALD）在生物医用植入物（钛合金）表面沉积2nm氧化锆（ZrO?）生物活性层，前驱体四(乙基甲基氨基)锆（TDMAZr）脉冲时间0.1s，H?O脉冲时间0.1s，循环次数400次，沉积温度150°C，细胞附着率>95%@MG-63细胞，骨整合时间缩短50% 🆔 ID: 197533 ✅ 可用
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在硅基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）上沉积1nm氧化铝（Al?O?）隔离层，前驱体三甲基铝（TMA）脉冲时间0.08s，H?O脉冲时间0.08s，循环次数200次，沉积温度100°C，二维电子气浓度>1×1013cm?2，跨导提升20% 🆔 ID: 197534 ✅ 可用
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采用原子层沉积（ALD）技术在柔性有机发光二极管（FOLED）阳极表面沉积1.5nm氧化铟（In?O?）透明导电层，前驱体四(乙基甲基氨基)铟（TEMIT）脉冲时间0.1s，O?等离子体脉冲时间0.1s，循环次数300次，沉积温度120°C，方块电阻<20Ω/□，弯曲寿命>10?次（曲率半径3mm） 🆔 ID: 197535 ✅ 可用
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在硬质合金刀具表面沉积3nm氮化钛（TiN）涂层，前驱体四(二甲氨基)钛（TDMAT）脉冲时间0.1s，NH?脉冲时间0.1s，循环次数600次，沉积温度300°C，硬度HV>3000，摩擦系数<0.3，使用寿命延长3倍 🆔 ID: 197536 ✅ 可用
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使用原子层沉积（ALD）在硅基微热电器件（TEC）热端表面沉积2nm氧化铝（Al?O?）绝热层，前驱体三甲基铝（TMA）脉冲时间0.1s，H?O脉冲时间0.1s，循环次数400次，沉积温度150°C，热导率降低50%，塞贝克系数提升15% 🆔 ID: 197537 ✅ 可用
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在钙钛矿量子点（CsPbBr?）表面沉积1nm氧化锡（SnO?）钝化层，前驱体四(二甲氨基)锡（TDMASn）脉冲时间0.08s，O?脉冲时间0.08s，循环次数200次，沉积温度80°C，荧光量子产率保持率>95%，稳定性>1000小时@空气环境 🆔 ID: 197538 ✅ 可用
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采用原子层沉积（ALD）技术在碳纳米管场效应晶体管（CNFET）沟道表面沉积1.5nm氧化铪（HfO?）栅介质层，前驱体四(乙基甲基氨基)铪（TEMAH）脉冲时间0.1s，H?O脉冲时间0.1s，循环次数300次，沉积温度200°C，阈值电压波动<0.2V，亚阈值摆幅<70mV/dec 🆔 ID: 197539 ✅ 可用
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在硅基闪存（Flash）存储单元浮栅上沉积1nm氧化铝（Al?O?）隧穿层，前驱体三甲基铝（TMA）脉冲时间0.08s，H?O脉冲时间0.08s，循环次数200次，沉积温度100°C，数据保持能力>10年@85°C，擦写耐久性>10?次 🆔 ID: 197540 ✅ 可用
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