采用分子束外延（MBE）技术在硅(100)衬底上生长20nm砷化镓（GaAs）外延层，Ⅲ-Ⅴ族束流比Ga:As=1:1.2，衬底温度580°C，生长速率0.5μm/h，结晶质量XRD半高宽(FWHM)80arcsec，界面粗糙度Ra<0.2nm 🆔 ID: 197594 ✅ 可用
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在蓝宝石(0001)衬底上生长15nm氮化镓（GaN）缓冲层，TMGa束流1.2×10??Torr，NH?束流8×10??Torr，衬底温度1050°C，V/Ⅲ比=1000，应力释放裂纹密度<1条/cm2，二维电子气迁移率1500cm2/V·s 🆔 ID: 197595 ✅ 可用
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使用分子束外延（MBE）在锗(111)衬底上生长5nm应变硅（SiGe）量子阱，Si束流8×10??Torr，Ge束流1.6×10??Torr，衬底温度450°C，Ge组分25%，量子阱厚度均匀性<1%，带隙调控范围0.1-0.3eV 🆔 ID: 197596 ✅ 可用
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在碳化硅(0001)衬底上生长10nm氮化铝（AlN）成核层，TMAl束流5×10??Torr，NH?束流3×10??Torr，衬底温度1100°C，生长速率0.1μm/h，界面缺陷密度<1×10?cm?2，热导率200W/m·K 🆔 ID: 197597 ✅ 可用
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采用分子束外延（MBE）技术在砷化镓(100)衬底上生长8nm铟镓砷（In?.?Ga?.?As）量子点，TMIn束流3×10?1?Torr，TMGa束流6×10??Torr，As?束流1×10??Torr，衬底温度500°C，密度5×10?cm?2，尺寸均匀性<5%，发光波长1300nm 🆔 ID: 197598 ✅ 可用
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在硅(111)衬底上生长12nm锗锡（Ge???Sn?）合金层，x=0.1，TMGe束流1×10??Torr，TMSn束流1×10??Torr，衬底温度300°C，应变值0.5%，载流子迁移率2000cm2/V·s，红外吸收边拓展至2.5μm 🆔 ID: 197599 ✅ 可用
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使用分子束外延（MBE）在氮化镓(0001)衬底上生长3nm铝镓氮（Al?.?Ga?.?N）势垒层，TMAl束流4×10??Torr，TMGa束流8×10??Torr，NH?束流5×10??Torr，衬底温度1000°C，极化电荷密度1.5×1013cm?2，二维空穴气浓度5×1011cm?2 🆔 ID: 197600 ✅ 可用
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在金刚石(111)衬底上生长5nm氮化硼（h-BN）绝缘层，B束流2×10??Torr，N束流6×10??Torr，衬底温度800°C，生长速率0.05μm/h，介电常数4.5，击穿场强8MV/cm，用于高频电子器件 🆔 ID: 197601 ✅ 可用
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采用分子束外延（MBE）技术在磷化铟(100)衬底上生长6nm铟砷磷（In?.??Ga?.??As）量子阱，TMIn束流5×10??Torr，TMGa束流3×10??Torr，As束流8×10??Torr，衬底温度520°C，阱宽8nm，激子束缚能45meV，发光效率>90% 🆔 ID: 197602 ✅ 可用
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在硅(100)衬底上生长10nm锗（Ge）量子点阵列，TMGe束流4×10??Torr，衬底温度400°C，密度3×101?cm?2，尺寸分布15-20nm，用于单光子发射器，量子产率>50% 🆔 ID: 197603 ✅ 可用
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使用分子束外延（MBE）在氧化镁(111)衬底上生长2nm铬（Cr）自旋极化层，Cr束流1×10??Torr，衬底温度300°C，自旋极化率60%，磁矩5μB，用于磁隧道结顶部电极 🆔 ID: 197604 ✅ 可用
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在砷化镓(100)衬底上生长7nm铝镓砷（Al?.?Ga?.?As）限制层，TMAl束流3×10??Torr，TMGa束流7×10??Torr，As?束流9×10??Torr，衬底温度600°C，载流子限制效率>99%，内量子效率85% 🆔 ID: 197605 ✅ 可用
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采用分子束外延（MBE）技术在碳化硅(0001)衬底上生长4nm氮化镓（GaN）量子点，TMGa束流2×10??Torr，NH?束流3×10??Torr，衬底温度900°C，密度8×10?cm?2，发光波长360nm，用于深紫外光源 🆔 ID: 197606 ✅ 可用
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在硅(111)衬底上生长15nm磷化铟（InP）缓冲层，TMIn束流6×10??Torr，PH?束流1×10??Torr，衬底温度450°C，位错密度<1×10?cm?2，用于高频电子器件衬底 🆔 ID: 197607 ✅ 可用
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使用分子束外延（MBE）在锗(100)衬底上生长3nm硅（Si）量子点，TMSi束流2×10??Torr，衬底温度450°C，密度4×101?cm?2，尺寸均匀性<3%，用于量子计算比特 🆔 ID: 197608 ✅ 可用
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在氮化镓(0001)衬底上生长6nm铟镓氮（In?.?Ga?.?N）发射层，TMIn束流2×10??Torr，TMGa束流9×10??Torr，NH?束流6×10??Torr，衬底温度850°C，发光波长450nm，内量子效率>80% 🆔 ID: 197609 ✅ 可用
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采用分子束外延（MBE）技术在硅(100)衬底上生长9nm砷化铟（InAs）量子阱，TMIn束流4×10??Torr，TMAs束流7×10??Torr，衬底温度480°C，阱宽6nm，电子有效质量0.023m?，用于高速电子器件 🆔 ID: 197610 ✅ 可用
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在蓝宝石(0001)衬底上生长5nm氧化锌（ZnO）透明导电层，Zn束流5×10??Torr，O束流1×10??Torr，衬底温度500°C，载流子浓度1×101?cm?3，迁移率30cm2/V·s，透光率>90%@可见光 🆔 ID: 197611 ✅ 可用
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使用分子束外延（MBE）在砷化镓(100)衬底上生长4nm铝（Al）欧姆接触层，Al束流3×10??Torr，衬底温度400°C，接触电阻<1×10??Ω·cm2，用于高电子迁移率晶体管源漏电极 🆔 ID: 197612 ✅ 可用
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在碳化硅(0001)衬底上生长7nm氮化铝（AlN）高阻层，TMAl束流4×10??Torr，NH?束流3×10??Torr，衬底温度1100°C，电阻率>10?Ω·cm，用于高频器件绝缘隔离 🆔 ID: 197613 ✅ 可用
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采用分子束外延（MBE）技术在硅(111)衬底上生长11nm锗（Ge）量子阱，TMGe束流5×10??Torr，衬底温度420°C，阱宽10nm，空穴迁移率1500cm2/V·s，用于高速光通信探测器 🆔 ID: 197614 ✅ 可用
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在磷化铟(100)衬底上生长8nm铟镓砷磷（In?.??Al?.??As）势垒层，TMIn束流5×10??Torr，TMGa束流3×10??Torr，TMAl束流4×10??Torr，As束流8×10??Torr，衬底温度550°C，导带偏移180meV，电子限制效率>95% 🆔 ID: 197615 ✅ 可用
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使用分子束外延（MBE）在锗(100)衬底上生长2nm铋（Bi）量子点，TMBi束流1×10??Torr，衬底温度250°C，密度6×101?cm?2，拓扑绝缘体特性，表面态费米能级钉扎，用于低能耗电子器件 🆔 ID: 197616 ✅ 可用
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在氮化镓(0001)衬底上生长5nm铟镓氮（In?.??Ga?.??N）量子阱，TMIn束流2×10??Torr，TMGa束流8×10??Torr，NH?束流5×10??Torr，衬底温度800°C，发光波长520nm，高亮度发光二极管应用 🆔 ID: 197617 ✅ 可用
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采用分子束外延（MBE）技术在砷化镓(100)衬底上生长6nm铝镓砷（Al?.?Ga?.?As）量子点，TMAl束流4×10??Torr，TMGa束流6×10??Torr，As?束流9×10??Torr，衬底温度550°C，密度3×10?cm?2，发光波长850nm，用于红外光源 🆔 ID: 197618 ✅ 可用
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在硅(100)衬底上生长13nm磷化铟（InP）量子点，TMIn束流6×10??Torr，PH?束流8×10??Torr，衬底温度500°C，尺寸均匀性<4%，用于单电子晶体管，库仑阻塞效应明显 🆔 ID: 197619 ✅ 可用
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使用分子束外延（MBE）在碳化硅(0001)衬底上生长3nm氮化铝（AlN）成核层，TMAl束流3×10??Torr，NH?束流2×10??Torr，衬底温度1000°C，界面能垒>1.5eV，用于高质量氮化镓外延生长基础 🆔 ID: 197620 ✅ 可用
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在锗(111)衬底上生长9nm硅锗（Si???Ge?）应变层，x=0.3，TMGe束流1×10??Torr，TMSi束流7×10??Torr，衬底温度400°C，应变值1.2%，空穴迁移率3000cm2/V·s，用于高频晶体管 🆔 ID: 197621 ✅ 可用
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采用分子束外延（MBE）技术在硅(100)衬底上生长4nm二硫化钼（MoS?）二维材料，Mo束流1×10??Torr，S束流3×10??Torr，衬底温度350°C，层数1-3层，带隙1.8eV，用于柔性电子器件 🆔 ID: 197622 ✅ 可用
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在氮化镓(0001)衬底上生长7nm铝镓氮（Al?.?Ga?.?N）电子阻挡层，TMAl束流5×10??Torr，TMGa束流6×10??Torr，NH?束流4×10??Torr，衬底温度950°C，极化场强度2.5MV/cm，电子泄漏电流<1×10??A/cm2 🆔 ID: 197623 ✅ 可用
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