STED 592nm损耗光功率密度1.8kW/cm2时保障石墨烯/碳纳米管场效应晶体管（FET）载流子输运通道成像清晰度（信噪比>24dB） 🆔 ID: 199086 ✅ 可用
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PALM单分子定位精度±8nm追踪纳米电子学器件中单原子掺杂（如磷原子，直径0.2nm）的空间分布 🆔 ID: 199087 ✅ 可用
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STED 775nm双光子激发波长（1040nm）维持二维材料（如MoS?，层厚0.65nm）电子器件的光学稳定性（光致损伤阈值>10?W/cm2） 🆔 ID: 199088 ✅ 可用
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PALM 100fs时间分辨率监测纳米电子学器件中量子点（直径2–10nm）载流子隧穿动力学过程 🆔 ID: 199089 ✅ 可用
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STED 20nm分辨率下解析FinFET（鳍式场效应晶体管）纳米鳍片（宽度5–10nm）与栅极介质（厚度1–2nm）界面缺陷密度（<101?/cm2） 🆔 ID: 199090 ✅ 可用
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PALM 10^5个单分子定位数重建纳米电子学器件中单电子晶体管（SET）库仑岛（直径10–50nm）周围电子云分布 🆔 ID: 199091 ✅ 可用
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STED 488nm激发光匹配量子点（如CdSe，发射峰580nm）标记的纳米电子学器件载流子输运路径示踪 🆔 ID: 199092 ✅ 可用
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PALM 10nm定位精度追踪纳米电子学器件中原子级薄栅极氧化物（如HfO?，厚度0.5–1nm）的界面态密度（<1011/cm2·eV） 🆔 ID: 199093 ✅ 可用
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STED 592nm损耗光环形光束内径0.3λ产生纳米级沟道电场调控区（零强度区<200nm） 🆔 ID: 199094 ✅ 可用
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PALM 10^6个分子定位数据集解析纳米电子学器件中二维材料异质结（如MoS?/WSe?，界面厚度0.3nm）的能带排列精度（±0.05eV） 🆔 ID: 199095 ✅ 可用
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STED 3kW/cm2功率密度下纳米电子学器件光致发光效率（量子产率>0.8）用于载流子复合过程监测 🆔 ID: 199096 ✅ 可用
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PALM 100Hz采集速率实时追踪纳米电子学器件中纳米线（直径20–100nm）电迁移（迁移率>10?cm2/V·s）动态过程 🆔 ID: 199097 ✅ 可用
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STED 640nm激发光与纳米电子学器件中金属电极（如Ti/Au，厚度50/100nm）的等离子体共振峰（500–700nm）匹配实现表面电荷分布成像 🆔 ID: 199098 ✅ 可用
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PALM 10^4个分子/μm2密度控制避免纳米电子学器件中量子点团聚（间距>5nm）影响载流子输运 🆔 ID: 199099 ✅ 可用
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STED 45nm分辨率成像需纳米电子学器件沟道材料（如硅，晶格常数0.543nm）表面粗糙度（Ra<0.5nm） 🆔 ID: 199100 ✅ 可用
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PALM 10ms曝光时间限制纳米电子学器件光毒性至<1%载流子散射率增加 🆔 ID: 199101 ✅ 可用
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STED 775nm损耗光脉冲宽度400ps减少对纳米电子学器件中二维材料电子迁移率（>103cm2/V·s）的干扰 🆔 ID: 199102 ✅ 可用
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PALM 10^5 photons/分子总光子数提升纳米电子学器件中单原子缺陷（如空位，尺寸<0.1nm）信噪比至30dB 🆔 ID: 199103 ✅ 可用
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STED 30nm分辨率下观测纳米电子学器件中隧穿场效应晶体管（TFET）源漏结（厚度1–2nm）的带隙工程精度（±0.1eV） 🆔 ID: 199104 ✅ 可用
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PALM 100×100μm视场内纳米电子学器件阵列分布均匀性（CV<0.1）保障大规模集成电路（IC）功能一致性 🆔 ID: 199105 ✅ 可用
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STED 592nm损耗光与近红外染料（发射峰>800nm）匹配实现深亚微米（<500nm）器件功能监测 🆔 ID: 199106 ✅ 可用
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PALM 10^6个定位点重建纳米电子学器件中自旋电子器件（如磁隧道结，MTJ，厚度1–2nm）的磁畴结构精度（±2nm） 🆔 ID: 199107 ✅ 可用
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STED 488nm激发光与Alexa Fluor 488发射峰（519nm）匹配用于纳米电子学器件中有机半导体（如并五苯，厚度100nm）载流子迁移路径示踪 🆔 ID: 199108 ✅ 可用
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PALM 10nm定位精度依赖纳米电子学器件中金属接触电极（如Ni/Au，功函数匹配>4.5eV）的肖特基势垒高度控制（<0.3eV） 🆔 ID: 199109 ✅ 可用
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STED 25nm分辨率下解析纳米电子学器件中纳米级互连（线宽10–20nm）的电迁移失效机制（电流密度>10?A/cm2） 🆔 ID: 199110 ✅ 可用
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PALM 10^4个分子/帧定位数满足纳米电子学器件中忆阻器（电阻切换层厚度5–10nm）的电阻态（高/低阻态差>103）动态监测 🆔 ID: 199111 ✅ 可用
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STED 775nm损耗光功率密度1.2kW/cm2时成像时长≥2h（热漂移<0.5nm/min）用于纳米电子学器件长期可靠性测试 🆔 ID: 199112 ✅ 可用
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PALM 100Hz采集速率下纳米电子学器件连续追踪数据量（≥300GB/小时）保障动态性能分析 🆔 ID: 199113 ✅ 可用
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STED 592nm损耗光环形光束拓扑荷数l=1优化纳米电子学器件中栅极电场分布均匀性（偏差<10%） 🆔 ID: 199114 ✅ 可用
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PALM 10^5个分子/μm2密度下纳米电子学器件中单电子晶体管（SET）库仑振荡频率（>1GHz）测量精度（±0.01GHz） 🆔 ID: 199115 ✅ 可用
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