单层MoS?场效应晶体管载流子迁移率超过200 cm2/V·s时沟道长度需小于50 nm 🆔 ID: 199259 ✅ 可用
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双层石墨烯晶体管截止频率fT达到300 GHz对应栅极长度20 nm 🆔 ID: 199260 ✅ 可用
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黑磷场效应管开态电流Ion≥1 mA/μm需掺杂浓度≥1×1013 cm?2 🆔 ID: 199261 ✅ 可用
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二硫化钼晶体管亚阈值摆幅SS<60 mV/dec时氧化层厚度≤1 nm 🆔 ID: 199262 ✅ 可用
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单层WSe?晶体管开关比>10?要求源漏接触电阻<100 Ω·μm 🆔 ID: 199263 ✅ 可用
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hBN绝缘层厚度2 nm时二维晶体管栅漏电流<1 pA/μm 🆔 ID: 199264 ✅ 可用
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硒化铟InSe晶体管电子迁移率>10? cm2/V·s对应温度≤100 K 🆔 ID: 199265 ✅ 可用
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单层MoTe? p型晶体管空穴迁移率≥500 cm2/V·s需功函数匹配>4.8 eV 🆔 ID: 199266 ✅ 可用
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双层石墨烯晶体管跨导gm>1 mS/μm时载流子密度n≥5×1012 cm?2 🆔 ID: 199267 ✅ 可用
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黑磷场效应管击穿电压>1 V/nm对应临界电场强度≥1 MV/cm 🆔 ID: 199268 ✅ 可用
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单层WS?晶体管阈值电压Vth调控范围±0.5 V需栅介质k值>20 🆔 ID: 199269 ✅ 可用
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二硫化钼晶体管最大振荡频率fmax≥50 GHz对应沟道宽度10 μm 🆔 ID: 199270 ✅ 可用
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hBN封装的MoS?晶体管界面态密度Dit<1×1011 cm?2·eV?1 🆔 ID: 199271 ✅ 可用
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单层ReS?晶体管各向异性迁移率比值>10:1沿扶手椅方向>100 cm2/V·s 🆔 ID: 199272 ✅ 可用
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双层硒化钨WSe?晶体管SS=45 mV/dec时量子电容CQ>5 μF/cm2 🆔 ID: 199273 ✅ 可用
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黑磷晶体管热电子发射电流占比<5%对应栅压偏置<2 V 🆔 ID: 199274 ✅ 可用
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单层MoS?晶体管静电掺杂效率>90%需顶栅覆盖面积>80% 🆔 ID: 199275 ✅ 可用
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二硫化钼/石墨烯异质结晶体管光响应度>1 A/W波长650 nm 🆔 ID: 199276 ✅ 可用
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hBN夹层MoS?晶体管介电损耗tanδ<0.001@100 GHz 🆔 ID: 199277 ✅ 可用
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单层WSe?晶体管双极性输运载流子迁移率对称性Δμ/μ<15% 🆔 ID: 199278 ✅ 可用
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黑磷场效应管亚阈值区漏电流密度<1 nA/μm@Vgs=-1 V 🆔 ID: 199279 ✅ 可用
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单层MoTe?晶体管欧姆接触电阻率ρc<1×10?? Ω·cm2 🆔 ID: 199280 ✅ 可用
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双层石墨烯晶体管弹道输运比例>80%对应沟道长度<30 nm 🆔 ID: 199281 ✅ 可用
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二硫化钼晶体管辐射硬度>10 Mrad(Si)需钝化层厚度>5 nm 🆔 ID: 199282 ✅ 可用
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单层ReS?晶体管面内电导各向异性σ∥/σ⊥>15 🆔 ID: 199283 ✅ 可用
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黑磷晶体管阈值电压漂移率<0.1 mV/day在N?环境中 🆔 ID: 199284 ✅ 可用
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单层WS?晶体管高频噪声系数NF<3 dB@1 GHz 🆔 ID: 199285 ✅ 可用
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hBN介质MoS?晶体管界面陷阱充电能ΔEt>30 meV 🆔 ID: 199286 ✅ 可用
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单层MoS?晶体管静电调控灵敏度dIds/dVg>10 μA/V 🆔 ID: 199287 ✅ 可用
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二硫化钼/氮化硼异质结晶体管肖特基势垒高度ΦB<0.3 eV 🆔 ID: 199288 ✅ 可用
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