单层MoS?场效应管载流子迁移率>200 cm2/V·s时沟道长度需≤50 nm 🆔 ID: 199337 ✅ 可用
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双层MoS?晶体管亚阈值摆幅SS<60 mV/dec对应氧化层厚度≤1 nm 🆔 ID: 199338 ✅ 可用
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单层MoS?场效应管开态电流Ion≥1 mA/μm需掺杂浓度≥1×1013 cm?2 🆔 ID: 199339 ✅ 可用
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MoS?晶体管截止频率fT达到300 GHz对应栅极长度≤20 nm 🆔 ID: 199340 ✅ 可用
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单层MoS?场效应管开关比>10?要求源漏接触电阻<100 Ω·μm 🆔 ID: 199341 ✅ 可用
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hBN绝缘层厚度2 nm时MoS?场效应管栅漏电流<1 pA/μm 🆔 ID: 199342 ✅ 可用
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单层MoS?晶体管电子迁移率>10? cm2/V·s对应温度≤100 K 🆔 ID: 199343 ✅ 可用
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MoS?场效应管p型掺杂空穴迁移率≥500 cm2/V·s需功函数匹配>4.8 eV 🆔 ID: 199344 ✅ 可用
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单层MoS?晶体管跨导gm>1 mS/μm时载流子密度n≥5×1012 cm?2 🆔 ID: 199345 ✅ 可用
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双层MoS?场效应管SS=45 mV/dec时量子电容CQ>5 μF/cm2 🆔 ID: 199346 ✅ 可用
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单层MoS?晶体管击穿电压>1 V/nm对应临界电场强度≥1 MV/cm 🆔 ID: 199347 ✅ 可用
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MoS?场效应管最大振荡频率fmax≥50 GHz对应沟道宽度10 μm 🆔 ID: 199348 ✅ 可用
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hBN封装MoS?场效应管界面态密度Dit<1×1011 cm?2·eV?1 🆔 ID: 199349 ✅ 可用
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单层MoS?晶体管静电掺杂效率>90%需顶栅覆盖面积>80% 🆔 ID: 199350 ✅ 可用
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MoS?场效应管光响应度>1 A/W波长650 nm 🆔 ID: 199351 ✅ 可用
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单层MoS?晶体管热电子发射电流占比<5%对应栅压偏置<2 V 🆔 ID: 199352 ✅ 可用
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MoS?场效应管欧姆接触电阻率ρc<1×10?? Ω·cm2 🆔 ID: 199353 ✅ 可用
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双层MoS?场效应管弹道输运比例>80%对应沟道长度<30 nm 🆔 ID: 199354 ✅ 可用
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单层MoS?晶体管亚阈值区漏电流密度<1 nA/μm@Vgs=-1 V 🆔 ID: 199355 ✅ 可用
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MoS?场效应管高频噪声系数NF<3 dB@1 GHz 🆔 ID: 199356 ✅ 可用
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hBN介质MoS?场效应管界面陷阱充电能ΔEt>30 meV 🆔 ID: 199357 ✅ 可用
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单层MoS?晶体管静电调控灵敏度dIds/dVg>10 μA/V 🆔 ID: 199358 ✅ 可用
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MoS?/石墨烯异质结场效应管肖特基势垒高度ΦB<0.3 eV 🆔 ID: 199359 ✅ 可用
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单层MoS?晶体管阈值电压漂移率<0.1 mV/day在N?环境中 🆔 ID: 199360 ✅ 可用
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MoS?场效应管双极性输运载流子迁移率对称性Δμ/μ<15% 🆔 ID: 199361 ✅ 可用
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单层MoS?晶体管辐射硬度>10 Mrad(Si)需钝化层厚度>5 nm 🆔 ID: 199362 ✅ 可用
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MoS?场效应管各向异性迁移率比值>10:1沿扶手椅方向>100 cm2/V·s 🆔 ID: 199363 ✅ 可用
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单层MoS?晶体管载流子散射时间τ>1 ps对应迁移率>103 cm2/V·s 🆔 ID: 199364 ✅ 可用
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MoS?场效应管动态开关能耗Esw<10 fJ@10 MHz 🆔 ID: 199365 ✅ 可用
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单层MoS?晶体管短沟道效应阈值电压回退ΔVth<0.1 V(Lg=10 nm) 🆔 ID: 199366 ✅ 可用
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