黑磷场效应管载流子迁移率>1000 cm2/V·s时温度≤50 K 🆔 ID: 199665 ✅ 可用
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单层黑磷晶体管开态电流Ion≥1.5 mA/μm需掺杂浓度≥2×1013 cm?2 🆔 ID: 199666 ✅ 可用
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黑磷场效应管亚阈值摆幅SS<50 mV/dec对应氧化层厚度≤0.8 nm 🆔 ID: 199667 ✅ 可用
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双层黑磷晶体管截止频率fT达到400 GHz对应栅极长度15 nm 🆔 ID: 199668 ✅ 可用
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黑磷场效应管开关比>10?要求源漏接触电阻<80 Ω·μm 🆔 ID: 199669 ✅ 可用
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hBN绝缘层厚度1.5 nm时黑磷场效应管栅漏电流<0.5 pA/μm 🆔 ID: 199670 ✅ 可用
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单层黑磷晶体管电子迁移率>1.2×10? cm2/V·s对应温度≤80 K 🆔 ID: 199671 ✅ 可用
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黑磷场效应管p型掺杂空穴迁移率≥800 cm2/V·s需功函数匹配>5.0 eV 🆔 ID: 199672 ✅ 可用
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单层黑磷晶体管跨导gm>1.2 mS/μm时载流子密度n≥6×1012 cm?2 🆔 ID: 199673 ✅ 可用
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双层黑磷场效应管SS=42 mV/dec时量子电容CQ>6 μF/cm2 🆔 ID: 199674 ✅ 可用
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黑磷场效应管击穿电压>1.2 V/nm对应临界电场强度≥1.1 MV/cm 🆔 ID: 199675 ✅ 可用
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单层黑磷晶体管最大振荡频率fmax≥60 GHz对应沟道宽度8 μm 🆔 ID: 199676 ✅ 可用
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hBN封装黑磷场效应管界面态密度Dit<8×101? cm?2·eV?1 🆔 ID: 199677 ✅ 可用
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黑磷场效应管静电掺杂效率>92%需顶栅覆盖面积>85% 🆔 ID: 199678 ✅ 可用
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单层黑磷晶体管光响应度>1.2 A/W波长550 nm 🆔 ID: 199679 ✅ 可用
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黑磷场效应管热电子发射电流占比<4%对应栅压偏置<1.8 V 🆔 ID: 199680 ✅ 可用
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单层黑磷晶体管欧姆接触电阻率ρc<8×10?? Ω·cm2 🆔 ID: 199681 ✅ 可用
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双层黑磷场效应管弹道输运比例>82%对应沟道长度<28 nm 🆔 ID: 199682 ✅ 可用
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黑磷场效应管亚阈值区漏电流密度<0.8 nA/μm@Vgs=-1 V 🆔 ID: 199683 ✅ 可用
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单层黑磷晶体管高频噪声系数NF<2.8 dB@1 GHz 🆔 ID: 199684 ✅ 可用
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hBN介质黑磷场效应管界面陷阱充电能ΔEt>32 meV 🆔 ID: 199685 ✅ 可用
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黑磷场效应管静电调控灵敏度dIds/dVg>11 μA/V 🆔 ID: 199686 ✅ 可用
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单层黑磷/石墨烯异质结场效应管肖特基势垒高度ΦB<0.25 eV 🆔 ID: 199687 ✅ 可用
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黑磷场效应管阈值电压漂移率<0.08 mV/day在N?环境中 🆔 ID: 199688 ✅ 可用
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单层黑磷晶体管双极性输运载流子迁移率对称性Δμ/μ<12% 🆔 ID: 199689 ✅ 可用
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黑磷场效应管辐射硬度>12 Mrad(Si)需钝化层厚度>6 nm 🆔 ID: 199690 ✅ 可用
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单层黑磷晶体管各向异性迁移率比值>12:1沿扶手椅方向>110 cm2/V·s 🆔 ID: 199691 ✅ 可用
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黑磷场效应管载流子散射时间τ>1.2 ps对应迁移率>1.1×103 cm2/V·s 🆔 ID: 199692 ✅ 可用
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单层黑磷晶体管动态开关能耗Esw<9 fJ@10 MHz 🆔 ID: 199693 ✅ 可用
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黑磷场效应管短沟道效应阈值电压回退ΔVth<0.08 V(Lg=10 nm) 🆔 ID: 199694 ✅ 可用
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