自旋电子器件自旋极化率>90%时电流密度>1×10? A/cm2 🆔 ID: 199989 ✅ 可用
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铁磁/半导体异质结自旋注入效率>50%对应势垒厚度<1 nm 🆔 ID: 199990 ✅ 可用
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自旋阀器件磁阻变化率ΔMR>150%在室温下 🆔 ID: 199991 ✅ 可用
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隧道磁阻器件TMR>200%对应MgO势垒厚度1.2 nm 🆔 ID: 199992 ✅ 可用
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自旋轨道转矩器件临界翻转电流密度<1×10? A/cm2 🆔 ID: 199993 ✅ 可用
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垂直磁各向异性CoFeB/MgO薄膜矫顽力Hc>1 T 🆔 ID: 199994 ✅ 可用
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自旋转移矩器件写入电流脉冲宽度<1 ns 🆔 ID: 199995 ✅ 可用
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Dzyaloshinskii-Moriya相互作用能密度D>0.5 mJ/m2 🆔 ID: 199996 ✅ 可用
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自旋霍尔角θSH>0.3对应Ta薄膜厚度5 nm 🆔 ID: 199997 ✅ 可用
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自旋泵浦效应自旋流转换效率>30%在NiFe/Pt界面 🆔 ID: 199998 ✅ 可用
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自旋二极管器件整流比>100在10 GHz频率下 🆔 ID: 199999 ✅ 可用
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自旋波器件传播长度>10 μm在YIG薄膜中 🆔 ID: 200000 ✅ 可用
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自旋轨道矩器件翻转时间<50 ps对应Pt厚度10 nm 🆔 ID: 200001 ✅ 可用
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全电控自旋器件开关能耗<1 fJ对应CoFeB层厚度1.5 nm 🆔 ID: 200002 ✅ 可用
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自旋LED器件圆偏振发光不对称度>30%在GaAs量子阱中 🆔 ID: 200003 ✅ 可用
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自旋过滤器器件透射率差>80%对应量子点能级分裂1 meV 🆔 ID: 200004 ✅ 可用
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自旋电容器件存储密度>100 Gb/in2对应Co电极厚度2 nm 🆔 ID: 200005 ✅ 可用
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自旋波逻辑器件门延迟<10 ps在Py薄膜中 🆔 ID: 200006 ✅ 可用
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自旋轨道耦合强度λ>0.2 eV·?对应Bi?Se?薄膜厚度5 nm 🆔 ID: 200007 ✅ 可用
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自旋极化扫描隧道显微镜分辨率<0.1 nm在Fe(001)表面 🆔 ID: 200008 ✅ 可用
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自旋电子存储器保持时间>10年对应MTJ氧化层厚度1.5 nm 🆔 ID: 200009 ✅ 可用
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自旋流二极管器件开启电压<0.1 V在WTe?中 🆔 ID: 200010 ✅ 可用
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自旋轨道矩驱动磁化翻转效率>60%对应Pt/Co界面 🆔 ID: 200011 ✅ 可用
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自旋波导器件传播损耗<0.1 dB/μm在YIG纳米线中 🆔 ID: 200012 ✅ 可用
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自旋霍尔纳米振荡器频率调谐范围>10 GHz在β-Ta中 🆔 ID: 200013 ✅ 可用
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自旋极化光伏器件开路电压>1 V在CsPbBr?量子点中 🆔 ID: 200014 ✅ 可用
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自旋电子逻辑门操作速度>100 ps对应CoFeB/MgO/CoFeB MTJ 🆔 ID: 200015 ✅ 可用
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自旋轨道转矩磁随机存储器写入能耗<0.5 pJ/bit 🆔 ID: 200016 ✅ 可用
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自旋极化电子源亮度>1×10? A/(cm2·sr)在GaAs阴极中 🆔 ID: 200017 ✅ 可用
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自旋塞贝克器件温差电动势>10 μV/K在Bi?Te?中 🆔 ID: 200018 ✅ 可用
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