拓扑绝缘体Bi?Se?表面态电子迁移率>1×10? cm2/V·s在低温下 🆔 ID: 200176 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi?Te?量子反常霍尔效应温度>30 K对应Cr掺杂浓度0.5% 🆔 ID: 200177 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Sb?Te?表面态费米能级位置EF>0.1 eV相对于Dirac点 🆔 ID: 200178 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi???Sb?拓扑非平庸相变温度>200 K对应Sb组分x=0.07 🆔 ID: 200179 ✅ 可用
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拓扑绝缘体薄膜表面态载流子浓度<1×101? cm?3在n型掺杂条件下 🆔 ID: 200180 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi?Se?/超导体异质结约瑟夫森结临界电流密度>1 MA/cm2 🆔 ID: 200181 ✅ 可用
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拓扑绝缘体表面态自旋轨道耦合强度λ>0.3 eV·?在Bi?Se?中 🆔 ID: 200182 ✅ 可用
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拓扑绝缘体量子反常霍尔效应平台数>2@B=10 T在Cr-Bi?Se?中 🆔 ID: 200183 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi?Te?表面态陈数C=±1对应Dirac点能隙>5 meV 🆔 ID: 200184 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Sb?Te?拓扑保护表面态穿透深度λ>1 nm 🆔 ID: 200185 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi???Sb?体相带隙Eg>0.2 eV在x=0.04处 🆔 ID: 200186 ✅ 可用
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拓扑绝缘体薄膜表面态电导量子化平台σ=ne2/h在n=1,2,3... 🆔 ID: 200187 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi?Se?/铁磁体异质结自旋极化电流>80%在Co电极下 🆔 ID: 200188 ✅ 可用
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拓扑绝缘体表面态朗道能级简并度N=1/2π?_B2在磁场B=10 T 🆔 ID: 200189 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi?Te?量子自旋霍尔效应温度>10 K在HgTe/CdTe量子井中 🆔 ID: 200190 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Sb?Te?表面态费米速度vF>5×10? m/s 🆔 ID: 200191 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi???Sb?拓扑绝缘相稳定场强>10 T对应x=0.06 🆔 ID: 200192 ✅ 可用
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拓扑绝缘体薄膜表面态Berry相位θ=π对应Dirac锥形能带 🆔 ID: 200193 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi?Se?/超导体约瑟夫森结相位相干长度ξ>1 μm 🆔 ID: 200194 ✅ 可用
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拓扑绝缘体表面态自旋纹理螺旋度>0.8在磁场B=5 T下 🆔 ID: 200195 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi?Te?拓扑保护边缘态传输长度>10 μm在纳米线中 🆔 ID: 200196 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Sb?Te?表面态态密度DOS峰值>1×1013 cm?2·eV?1在EF附近 🆔 ID: 200197 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi???Sb?体相载流子迁移率>1000 cm2/V·s在x=0.04 🆔 ID: 200198 ✅ 可用
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拓扑绝缘体薄膜表面态量子干涉图案周期λ=2π/kF在费米波矢kF处 🆔 ID: 200199 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi?Se?/铁磁体异质结磁阻比率>1000在CoFeB电极下 🆔 ID: 200200 ✅ 可用
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拓扑绝缘体表面态自旋-轨道锁定角度>70°在Bi?Se?中 🆔 ID: 200201 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi?Te?量子反常霍尔效应电阻量子化值h/e2≈25.8 kΩ 🆔 ID: 200202 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Sb?Te?表面态拓扑不变量Z?=1对应非平庸相 🆔 ID: 200203 ✅ 可用
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拓扑绝缘体Bi???Sb?拓扑相变磁场临界值Bc>8 T在x=0.05 🆔 ID: 200204 ✅ 可用
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拓扑绝缘体薄膜表面态Klein隧穿透射率T>0.9在势垒高度100 meV 🆔 ID: 200205 ✅ 可用
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