压电陶瓷PZT-5H压电常数d??=580pC/N，机电耦合系数k??=0.75，机械品质因数Qm=80，居里温度365℃，介电常数ε?=3000(1kHz)。 🆔 ID: 203869 ✅ 可用
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铌酸锂单晶（LN）压电常数d??=-7.5pC/N，电光系数r??=30pm/V，半波电压（532nm）5-8V，居里温度1150℃，光折射率n?=2.29(632.8nm)。 🆔 ID: 203870 ✅ 可用
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钽酸锂单晶（LT）电光系数r??=15pm/V，半波电压（532nm）3-4V，热释电系数3×10??C/(cm2·K)，机电耦合系数k??=0.45，光折射率n?=2.18(632.8nm)。 🆔 ID: 203871 ✅ 可用
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钛酸钡（BaTiO?）铁电陶瓷居里温度120-130℃，剩余极化强度20-30μC/cm2，介电常数>1000(1kHz)，矫顽场强0.5-1.0kV/mm，晶粒尺寸1-5μm。 🆔 ID: 203872 ✅ 可用
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钛酸锶钡（BST）铁电陶瓷介电常数300-1000(可调)，调谐率50-70%(电场调控)，损耗tanδ<0.01，居里温度>100℃，BST相含量≥95%。 🆔 ID: 203873 ✅ 可用
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锆钛酸铅（PZT）压电陶瓷压电常数d??=200-500pC/N，机电耦合系数k?=0.6-0.7，机械品质因数Qm=50-100，居里温度300-400℃，密度7.5-7.8g/cm3。 🆔 ID: 203874 ✅ 可用
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铌镁酸铅-钛酸铅（PMN-PT）弛豫铁电陶瓷压电常数d??=1500-2000pC/N，介电常数>10000，机电耦合系数k??=0.9-0.95，居里温度150-200℃，应变量>0.15%。 🆔 ID: 203875 ✅ 可用
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铌锌酸铅-钛酸铅（PZN-PT）弛豫铁电陶瓷压电常数d??=2000-2500pC/N，机电耦合系数k??=0.9-0.95，压电各向异性d??/d??>100，居里温度180-220℃，密度7.8-8.0g/cm3。 🆔 ID: 203876 ✅ 可用
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铁酸铋（BiFeO?）多铁性陶瓷铁电剩余极化强度50-100μC/cm2，磁化强度0.1-0.3emu/g，铁电居里温度830℃，反铁磁奈尔温度370℃，漏电流密度<10??A/cm2。 🆔 ID: 203877 ✅ 可用
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钛酸锶（SrTiO?）半导体陶瓷室温电阻率103-10?Ω·cm，介电常数300-500(1kHz)，居里温度-200℃(氧空位调控)，载流子浓度101?-101?cm?3，晶粒尺寸5-20μm。 🆔 ID: 203878 ✅ 可用
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铌酸钾钠（KNN）无铅压电陶瓷压电常数d??=150-250pC/N，机电耦合系数k?=0.4-0.5，机械品质因数Qm=80-120，居里温度400-450℃，密度4.3-4.5g/cm3，Na/K比0.9-1.1。 🆔 ID: 203879 ✅ 可用
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钛酸铅（PbTiO?）铁电陶瓷居里温度490℃，剩余极化强度60-70μC/cm2，介电常数>1000(1kHz)，矫顽场强2-3kV/mm，压电常数d??=200-300pC/N，密度7.8-8.0g/cm3。 🆔 ID: 203880 ✅ 可用
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铌酸锂-钽酸锂固溶体（LLT）光学级晶体电光系数r??=25-30pm/V，半波电压(1064nm)4-6V，光折射率n?=2.25-2.30(632.8nm)，抗光损伤阈值>10GW/cm2，Li/Ta比48:52-50:50。 🆔 ID: 203881 ✅ 可用
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磷酸二氢钾（KDP）非线性光学晶体倍频系数d??=0.39pm/V，透光范围0.2-1.5μm，光折射率n?=1.51(532nm)，抗激光损伤阈值1-3GW/cm2，生长取向(101)面。 🆔 ID: 203882 ✅ 可用
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铌酸锂-氧化镁（MgO:LN）抗光损伤晶体光折射率n?=2.28(632.8nm)，抗光损伤阈值>50GW/cm2，电光系数r??=20-25pm/V，半波电压(532nm)6-9V，MgO掺杂量4.5-5.5mol%。 🆔 ID: 203883 ✅ 可用
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石英晶体（SiO?）压电常数d??=2.31×10?12C/N，机电耦合系数k?=0.17，频率温度系数TCF=-0.035%/℃(AT切)，Q值>10?，切割角度θ=35°15'。 🆔 ID: 203884 ✅ 可用
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钽铌酸钾（KTN）电光调制晶体电光系数r??=200-300pm/V(低温)，介电常数>10?(近居里点)，光折射率n?=2.2-2.3(632.8nm)，居里温度~400K，尺寸效应显著。 🆔 ID: 203885 ✅ 可用
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铌酸锂-钪（Sc:LN）高抗光损伤晶体光折射率n?=2.30(632.8nm)，抗光损伤阈值>100GW/cm2，电光系数r??=18-22pm/V，Sc?O?掺杂量3-7mol%，半波电压(532nm)7-10V。 🆔 ID: 203886 ✅ 可用
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钛酸锶钡-镧（BLST）巨介电陶瓷介电常数>10?(1kHz)，介电损耗tanδ<0.01(室温)，居里温度>100℃，BST:La?O?比95:5-90:10，晶粒尺寸1-5μm。 🆔 ID: 203887 ✅ 可用
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铌酸锂-锌（Zn:LN）抗光损伤晶体光折射率n?=2.29(632.8nm)，抗光损伤阈值>30GW/cm2，电光系数r??=22-26pm/V，ZnO掺杂量1-3mol%，半波电压(532nm)5-7V。 🆔 ID: 203888 ✅ 可用
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偏铌酸铅（PbNb?O?）二次谐波发生晶体非线性系数d??=-10.2pm/V，透光范围0.4-5.0μm，光折射率n?=2.3-2.4(632.8nm)，抗光损伤阈值>5GW/cm2，居里温度570℃。 🆔 ID: 203889 ✅ 可用
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铌酸锂-铟（In:LN）低光学损耗晶体光折射率n?=2.28(632.8nm)，传输损耗<0.1dB/cm(1310nm)，电光系数r??=20-24pm/V，In?O?掺杂量0.01-0.1mol%，半波电压(1310nm)2-3V。 🆔 ID: 203890 ✅ 可用
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钛酸铜钙（CaCu?Ti?O??）巨介电陶瓷介电常数>10?(1kHz-1MHz)，介电损耗tanδ<0.05(1kHz)，居里温度~100℃，Cu/Ti比0.7-0.9，晶粒尺寸5-20μm，密度4.5-4.8g/cm3。 🆔 ID: 203891 ✅ 可用
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铌酸锂-镁-钪（Mg,Sc:LN）复合抗光损伤晶体光折射率n?=2.30(632.8nm)，抗光损伤阈值>150GW/cm2，电光系数r??=15-18pm/V，MgO+Sc?O?掺杂量5-10mol%，半波电压(532nm)8-12V。 🆔 ID: 203892 ✅ 可用
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磷酸钛氧钾（KTP）非线性光学晶体倍频系数d??=13.7pm/V，透光范围0.35-4.5μm，光折射率n?=1.73(1064nm)，抗光损伤阈值>10GW/cm2，走离角0.3-0.5°(1064nm)。 🆔 ID: 203893 ✅ 可用
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铌酸锂-铪（Hf:LN）高抗光损伤晶体光折射率n?=2.31(632.8nm)，抗光损伤阈值>80GW/cm2，电光系数r??=18-21pm/V，HfO?掺杂量2-5mol%，半波电压(532nm)6-8V。 🆔 ID: 203894 ✅ 可用
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钛酸锶（SrTiO?）铁电薄膜材料剩余极化强度5-10μC/cm2，介电常数300-500(1kHz)，漏电流密度<10??A/cm2，取向(100)或(110)，厚度100-500nm。 🆔 ID: 203895 ✅ 可用
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铌酸锂-钽-钪（Ta,Sc:LN）多功能晶体电光系数r??=18-22pm/V，抗光损伤阈值>60GW/cm2，半波电压(532nm)6-9V，Ta?O?+Sc?O?掺杂量3-8mol%，光折射率n?=2.29(632.8nm)。 🆔 ID: 203896 ✅ 可用
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钛酸钡-锶（BST）微波介质陶瓷介电常数2000-3500(10GHz)，品质因数Q×f=3000-5000GHz(10GHz)，谐振频率温度系数τf=-5-+5ppm/℃，Ba/Sr比0.8-1.2，烧结温度1300-1400℃。 🆔 ID: 203897 ✅ 可用
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铌酸锂-镁-铟（Mg,In:LN）综合性能晶体电光系数r??=18-22pm/V，抗光损伤阈值>40GW/cm2，半波电压(532nm)5-8V，MgO+In?O?掺杂量1-3mol%，光折射率n?=2.29(632.8nm)。 🆔 ID: 203898 ✅ 可用
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