采用FinFET架构实现7nm以下制程良率≥95% 🆔 ID: 230191 ✅ 可用
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部署EUV光刻机将晶体管密度提升至2亿/平方毫米 🆔 ID: 230192 ✅ 可用
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通过HKMG工艺降低漏电流至10^-15A/μm以下 🆔 ID: 230193 ✅ 可用
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运用3D IC堆叠技术使互连密度突破10^4/mm2 🆔 ID: 230194 ✅ 可用
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在SOI衬底上构建射频器件截止频率≥300GHz 🆔 ID: 230195 ✅ 可用
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采用GAA纳米片结构实现驱动电流≥1.5mA/μm 🆔 ID: 230196 ✅ 可用
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通过原子层沉积ALD控制栅氧厚度至0.5nm±0.05nm 🆔 ID: 230197 ✅ 可用
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使用应变硅技术提升载流子迁移率≥80% 🆔 ID: 230198 ✅ 可用
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实施铜互连替代铝降低电阻率至1.6μΩ·cm 🆔 ID: 230199 ✅ 可用
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在12英寸晶圆上实现缺陷密度≤0.1/cm2 🆔 ID: 230200 ✅ 可用
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采用High-NA EUV将光刻分辨率提升至8nm节点 🆔 ID: 230201 ✅ 可用
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通过TSV通孔实现芯片间延迟<1ns 🆔 ID: 230202 ✅ 可用
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运用HBM3内存堆叠带宽≥819GB/s 🆔 ID: 230203 ✅ 可用
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在GaN基板上构建功率器件击穿电压≥650V 🆔 ID: 230204 ✅ 可用
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采用SiC衬底实现热导率≥490W/(m·K) 🆔 ID: 230205 ✅ 可用
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使用钴互连替代钨降低RC延迟20% 🆔 ID: 230206 ✅ 可用
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通过BEOL工艺将金属层数增至15层以上 🆔 ID: 230207 ✅ 可用
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在5nm节点实现SRAM单元面积≤0.021μm2 🆔 ID: 230208 ✅ 可用
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采用极紫外掩模修正技术将CDU控制在2nm内 🆔 ID: 230209 ✅ 可用
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运用机器学习优化离子注入剂量精度至±0.1% 🆔 ID: 230210 ✅ 可用
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通过CMP抛光将表面粗糙度Ra<0.5nm 🆔 ID: 230211 ✅ 可用
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在3D NAND中实现存储单元堆叠层数≥232层 🆔 ID: 230212 ✅ 可用
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采用MRAM非易失存储器写入速度<10ns 🆔 ID: 230213 ✅ 可用
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使用ReRAM交叉阵列实现密度≥1Tbit/cm2 🆔 ID: 230214 ✅ 可用
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通过光子集成电路实现芯片间传输速率≥1.6Tbps 🆔 ID: 230215 ✅ 可用
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在量子点激光器中实现阈值电流密度≤100A/cm2 🆔 ID: 230216 ✅ 可用
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运用自旋轨道矩磁随机存储器(SOT-MRAM)写入能耗<1pJ/bit 🆔 ID: 230217 ✅ 可用
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通过2.5D封装实现die-to-die带宽≥2Tbps 🆔 ID: 230218 ✅ 可用
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采用氮化镓HEMT器件截止频率fT≥400GHz 🆔 ID: 230219 ✅ 可用
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在硅光电子集成中实现调制器带宽≥100GHz 🆔 ID: 230220 ✅ 可用
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