在贴瓦片推理中如何利用拓扑绝缘体表面态Tile自旋-轨道耦合调控优化自旋轨道矩磁随机存储器（SOT-MRAM）？热门官方

更新于2025/12/1 15:12:12

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回答：拓扑绝缘体表面态的自旋-轨道耦合可产生强自旋轨道矩，提升SOT-MRAM的写入效率。将SOT-MRAM器件按Tile划分表面态传输通道，通过栅压调控每块Tile的表面态费米能级，融合时优化自旋注入方向与电流密度，可将器件写入速度提升至亚纳秒级，功耗降低50%。

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